新浪科技讯 4月4日消息，据韩国新闻媒体报道，三星电子的70纳米OneNAND正式投入批量生产，闪存规格为1Gb(64MB)。
继去年5月投产70纳米NAND闪存之后，三星电子在OneNAND上也采用了70纳米工艺，有望进一步提升存储器产品群的差别化并降低成本。
??? OneNAND闪存将NAND闪存、静态存储器和逻辑集成电路整合在单独的一枚芯片上，多用于手机和媒体播放器。此外，它还可以使减少因为存储期间发生断电等情况而丢失的数据量的情况。
该产品的读取速度可达每秒108MByte，比以前的90纳米产品(68MByte/秒)快近60%。(长乐)
三星正准备在今年晚些时候推出Galaxy Watch 5系列。早在2021年，三星就推出了Galaxy Watch 4和Watch 4 Classic。 近日，爆料者Ice Universe在推特上透露，Galaxy Watch 5 Pro将采用钛合金材质。据报道，除了新的钛合金表款外，Galaxy Watch 5 Pro还将采用蓝宝石玻璃。这类型的玻璃更耐用，可以很好地避免划痕。 这位爆料者表示，三星即将推出的高端智能手表将采用旋转表圈设计和预装WearOS系统。 他还补充说，Galaxy Watch 5 Pro不会提供窄边框的设计。根据之前消息，三星Galaxy Watch 5 Pro型号为SM-R925，将拥有5
南韩智慧型手机大厂三星电子（SAMSUNG）昨发布上季（7~9月，第3季）最新财测，指出新兴市场低价手机销售佳绩，缓冲高阶手机需求转弱冲击，估营业利益目标中值将年增25.3%达10.1兆韩元（94亿美元），可望创下历史上最新的记录纪录，也高于彭博市调报告分析师预估目标9.96兆韩元。 三星电子通常不给予旗下各部门获利预估目标，根据彭博报导预估，三星电子旗下最大事业部门手机事业上季业绩仍表现优异，估营收将年增25%，营业利益可望达6.3兆韩元。 中国与印度市场发威 南韩大新证券分析师卜康和（音译）指出，三星电子可望在中国、印度等新兴市场持续推动S3等其他GALAXY智慧型手机产品业绩，三星电子本季业绩前景更值得乐观期待。 南韩大
三星Display新OLED软板厂昨（10）日正式破土动工，估计造价达13兆-16兆韩圜。未来新厂落成后，一来可增加产能来满足智慧型手机需求，二来可进一步拉大一马当先的优势。 新OLED厂A4位于韩国忠清南道北部的牙山市，与A3厂一样属六代线mm），将在明年下半年启用，预估每月可产出13.5万片，足以满足2千至3千万支手机的面板需求。 三星Display目前是中小尺寸OLED面板的领导者，且是苹果下一代iPhone用OLED面板主要供应商。新面板厂可能是为了巩固苹果未来订单，以及服务更多其它中国手机厂客户。 三星曾说今年面板和半导体需求强劲，将大幅度的增加两者资本投资，借以扩充产能。三星第一季拨发给面板部
2017年内存、电容双双缺货涨价，其中内存每季度涨价超20%，电容普遍涨价4-5倍。据集微网获悉，缺货涨价固然有产能不足的因素，但原厂联合渠道商炒货，是其中更重要的潜在影响因素。下面就随网络通信小编共同来了解一下相关联的内容吧。 ( DRAM )内存原厂出货量由 三星 电子一家独大，占据了近5成的市场占有率。据供应商爆料称，如果既在 三星 电子有渠道积累，现今又在终端品牌相关业务任职，就具备炒货契机。因为在今年 DRAM 缺货涨价潮中，对下游终端大客户影响实际上并不算大，由于双方基于合同执行与大客户战略，即便缺货，也会优先供应大客户，同时大客户也不在涨价目标客户群之列。 该供应商进一步透露，在这种条件下，假设原本某手机大品
日研发超薄省电TFT制法 本报讯 日本大阪大学产业科学研究所研究小组近日宣布研发了将硅酮浸泡到高浓度硝酸以制作在手机及液晶电视显示器等产品上使用的薄膜晶体管(TFT)的方法。 据了解，新制法可以将薄膜厚度减为原来的1/5～1/10，所需电力大幅度降低到原来的1/144，同时实现微型化，能制作是原来大小1/4的产品。 该研究小组表示，新的“硝酸酸化法”通过将玻璃主板上的硅酮浸泡在120度、浓度为68%的硝酸中，直接将硅酮氧化为薄膜。此法可以制成均匀且高密度的薄膜，最薄可达10纳米。 (荦 荦) 三星将开发柔性OLED电视 本报讯 虽然目前的OLED屏可实现超薄、弯曲特性，但是它只限于小型显示屏，
11月13日上午消息，据韩国网站ETNews报道，三星正在快马加鞭生产UFS 2.0标准NAND闪存，准备应用在S6上。据传小米下代旗舰也将采用UFS 2.0标准NAND闪存，速度是目前的三倍。 目前旗舰机型，比如小米4，闪存规格为eMMC 5.0，理论上最大传输速度可达400MB/s。鉴于eMMC潜力已被挖掘殆尽，新的UFS标准再次将速度提升，UFS 2.0标准NAND闪存理论传输速度可达1.2GB/s，是eMMC 5.0速度的三倍。 据韩国网站ETNews报道，作为业界领先的NAND闪存制造商，三星电子准备将SD卡及microSD卡都改为UFS标准。S6也会顺理成章地搭载UFS 2.0标准NAND闪存，以适应
过去，三星等厂商的手机使用的塑料机身是HTC一直嘲笑的对象，不过近日有消息称，这家一向只采用高贵冷艳金属外壳设计的台湾手机商业似乎也要推出塑料壳手机了。 据爆料专业户evleaks称，HTC并不会在Butterfly产品线中用这种自认掉档次的设计，塑料外壳将会使用在新款手机“HTC M8 Ace”上。这款手机采用了塑料一体式外壳的设计，取代了M8原有的铝合金材料。有意思的是，M8 Ace的硬件配置几乎与三星Galaxy S5完全一致：采用了5寸1080p屏幕+高通4核 2.5GHz 晓龙801处理器的顶配。 此外，M8 Ace还将拥有M8的多摄像头，硬件配置上可谓毫无缩水。然而与GS5不同的是，M8 Ac
实现全球首个在FDD频段运行两路上行载波和四路下行载波并发的5G载波聚合连接
高通和三星实现全球首个在FDD频段运行两路上行载波和四路下行载波并发的5G载波聚合连接 要点： • 骁龙X75利用仅35MHz带宽的5G频段（FDD频段n71和n70）实现200Mbps上行峰值速度。 • 此外，全球首个5G Advanced-ready调制解调器及射频系统利用75MHz带宽的5G频段（FDD频段n71、n70和n66），成功实现1.3Gbps下行峰值速度。 2023年9月8日，圣迭戈—— 高通技术公司联合三星电子宣布，双方成功实现全球首个在FDD频段运行两路上行载波和四路下行载波并发的5G载波聚合（CA）连接。这一成果彰显了双方合作带来的一马当先的优势，为未来提升5G性能和灵活性铺平道路。 此次测
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消息称英特尔 Arrow Lake-U 处理器定位 Lunar Lake 廉价替代品，CPU 采用 Intel 3 制程
1 月 22 日消息，X 平台消息人士 Bionic Squash 近日爆料称，英特尔 Arrow Lake-U（ARL-U）处理器将搭载基于 Intel 3 工艺的计 ...
1946年，第一台计算机ENIAC诞生，冯·诺伊曼据此提出了经典的冯·诺伊曼架构，自此，计算机的存储与处理技术在八十年间得到不断演进，现代 ...
简介本文介绍如何利用10BASE-T1L MAC-PHY连接慢慢的变多的低功耗现场设备和边缘设备。此外，本文还将详细说明何时使用MAC-PHY与10BASE-T1L ...
记者1月21日从西北工业大学获悉，该校柔性电子研究院教授、博士生导师、中国科学院黄维院士团队王学文教授课题组，提出通过重构成核策略制 ...
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