失效分析 赵工 半导体工程师 2023-10-05 08:05 发表于北京

  介绍了封装键合过程中应用的银合金键合线与铝垫之间形成的共金化合物（IMC），提出了侵蚀对IMC的影响，由于银合金线IMC不能通过物理方法确认，需通过软件测量计算和非物理性腐蚀试验得到IMC覆盖面积。详述了银合金线IMC的结合面积在封装键合过程中如何准确地判定并监控，避免因键合不良造成的可靠性隐患或潜在质量问题。

  IMC是IntermetallicCompound的缩写，通常译为“金属间化合物”。IMC是指异种金属相互紧密接触之间的界面层，在此界面层间会产生一种原子迁移互动的行为，金属原子间相互结合、渗入、迁移、以及扩散，在冷却固化之后立即出现一层类似合金的“化合物”，后续随着老化过程还会逐渐成长增厚。近年来，银合金线已大范围的应用于半导体封装键合领域。相比传统的金线，银合金线有更好的电性质、热导率和更低的成本，然而在高温和高电流密度下更容易发生银迁移。IMC结合层是通过化学药品腐蚀的方法，检查焊线后芯片铝层和焊球异种金属之间相互接触形成的合金层面积来判定。若IMC覆盖面积太小（＜85%），说明异种金属之间没有正真获得有效的原子之间渗透扩散结合，存在着脱焊的风险。本文中研究了银合金线IMC的结合面积在封装键合过程中如何准确的判定并监控，从而避免了后续由于键合问题造成的可靠性隐患。

  键合界面的一系列力学行为以及键合可靠性与金属间化合物的成分与性能有着直接密切的关系，因而银合金线键合后界面处的金属间化合物（IMC）的生长情况一直是业界最为关心的问题之一。在传统的金丝球焊工艺中，键合后金丝球和芯片上的铝垫形成的Au/Al金属间化合物IMC的生长过程、机理及微结构特征都已得到了比较深入的研究和讨论，而对银合金键合后Ag/Al界面的金属间化合物IMC的研究相对较少。其中，相对于传统的金线产品IMC测量方法，不能适用于银合金线的IMC测量过程，本文通过了非物理性腐蚀试验、软件测量的方法，结合金属界面上的IMC生长理论，通过软件测量计算得到了其IMC覆盖面积，得出了一套银合金线IMC的测量监控方法。使用银线作为键合线材应用在超声热压焊过程中，通过MSL2预处理和PCT240h后，IMC的腐蚀会发生在Au-Ag-Al-Pd界面。足够的IMC特征长度对银合金线是必要的，特别是对于伴随着湿气环境中的电化学腐蚀铝垫的银线键合，通过高压高湿老化试验，键合界面引入了水汽，IMC会受到某些特定的程度的侵蚀。IMC本身就具有不良的脆性，将会损及焊点的机械强度及寿命，尤其对疲劳强度(Fatigue Strength)危害最大，其熔点也较原来的金属要高。由于焊点中IMC合金层的渗入，使得该结合层面本身的硬度也随之增加，久之会有脆化的问题。因此银合金线的IMC形成质量监控在生产应用过程中非常必要。

  对于传统的金线产品，由于金线的IMC层的色差与周围的金有明显的差异，能够最终靠物理的辨识方法和软件测量其合金层覆盖面积能得出，图1a所示为传统金线IMC界面图片，IMC层与金层色差明显，能够最终靠物理判断的方式来进行判定是否在界面层原子之间有效的结合，结合面之间不能出现连续贯穿性隧道空洞。而由于银合金线的材质颜色等特性，银线与铝垫形成的IMC层与周围的银层不能明显的区分，IMC物理确认方法较困难，无法在球面底部有效地判断IMC形成的覆盖面积，图1b所示为银合金线的界面图片，需要研究化学腐蚀确认方法。

  在IMC实验过程中，需要一定的辅助材料与实验装置，所需要的设备工具有：加热台、超声波清洗器、高倍显微镜（200X-1000X）、普通显微镜（15X-50X）、镊子、挑针、刀片、烧杯、滤纸、移液管、废药水回收瓶、防护眼镜、橡胶手套等防护工具。材料有浓硝酸（98%）、纯水、丙酮等。

  将已挑开两焊点的试验样品，用刀片将载体连筋割断，图4所示为载体连筋位置示意图。同时取下芯片与框架载体，放入托盘中，如图5所示。取未做推拉力测试的Ink（墨点）材料，剪取材料时注意第一焊点不可受损。

  除了上文中描述的针对银合金线IMC覆盖面积的计算测量之外，对银合金线内部进行截面

  从图8中能够正常的看到银合金线与铝层之间结合的表面形态、铝层残留的平整度，以及银合金线所形成的球形形貌。如图8中被圈所示的区域，从内部形貌观察发现银合金线与铝层表明产生了较为显著的IMC层。以上图片也说明了银线表面迁移的物理现象，银合金线在电迁移过程中也会伴随发生内部迁移。这种机械抛光研磨的试验方法对于微米级别的试样使用存在比较大的弊端，首先由于银合金线的硬度相对来说比较软，使用研磨的方法很容易破坏表面形貌，同时因为制样的主要成分是银，受研磨使用的砂纸与抛光液的影响，会导致表面不平整出现细微的划痕。另外由于所要观察的区域很小，利用机械抛光的方法需要人为手动操作，很难控制选取所需位置，可重复操作性差。基于以上两点，需要更加精密测量以及结果分析需求时，则采用FIB（FocusedIonBeam的缩写，聚焦离子束）实验方法制取试样进行分析。

  针对此产品完成了如下全套可靠性考核，FT均Pass，各项指标满足JEDEC标准，具体可靠性考核项目为

  本文中主要从银合金键合线IMC的原理入手，研究了银合金线IMC的检查实验方法，也提到了通过机械研磨的切片试验方法作为IMC界面结合性的判定依据之一，具有很强的实际工程指导意义。通过实际的产品可靠性验证，FT测试通过，各项指标满足JEDEC标准，说明本文所研究的关于IMC的实验检查办法能够有效的预估可靠性结果。

  由于银线的金属特性，银置于空气中容易与氧气发生反应，产生黑色的氧化银，在实际作业应用过程中需要非常注意防护管控，另外，对于银线IMC迁移的问题，在高电流密度和高温下，银合金线表面的银离子从正极迁移到负极即表面迁移，银线迁移会造成金属间接触界面阻值升高，会加速银合金线IMC的老化脆化，进而影响电性能以及信号传输，具有很大的危害性，为了尽最大可能避免银迁移问题，需要从原材料金属配方制备、工艺方法、加工设施、包括保护气体、键合工艺参数等每个方面着手深入研究，达到预防和控制银线迁移问题的发生。

  半导体工程师半导体经验分享，半导体成果交流，半导体信息发布。半导体行业动态，半导体从业者职业规划，芯片工程师成长历程。181篇原创内容公众号